Výkonový MOSFET IRFBC40APBF N-kanálový 6.2 A 600 V, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 180-8656
- Výrobní číslo:
- IRFBC40APBF
- Výrobce:
- Vishay
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 261,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
260,83 Kč
(bez DPH)
315,61 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- Plus 605 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 52,166 Kč | 260,83 Kč | - |
| 50 - 120 | 46,93 Kč | 234,65 Kč | 261,80 Kč |
| 125 - 245 | 44,262 Kč | 221,31 Kč | 988,00 Kč |
| 250 - 495 | 41,744 Kč | 208,72 Kč | 2 605,50 Kč |
| 500 + | 39,076 Kč | 195,38 Kč | 6 545,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-8656
- Výrobní číslo:
- IRFBC40APBF
- Výrobce:
- Vishay
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 6.71mm | |
| Délka | 14.4mm | |
| Šířka | 10.52mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 6.71mm | ||
Délka 14.4mm | ||
Šířka 10.52mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Charakteristiky a výhody
Aplikace
Související odkazy
- Výkonový MOSFET IRFBC40APBF N-kanálový 6.2 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFB9N65APBF N-kanálový 8.5 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFB13N50APBF N-kanálový 14 A 500 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRFZ20PBF N-kanálový 15 A 50 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRL620PBF N-kanálový 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB Vishay Jednoduchý
- MOSFET IRLZ44PBF N-kanálový 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- řada: IRFB9N60A Výkonový MOSFET IRFB9N60APBF N-kanálový 9.2 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IRFBC20 Výkonový MOSFET IRFBC20PBF N-kanálový 2.2 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
