MOSFET IRFD020PBF Typ N-kanálový 2.4 A 50 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 180-8317
- Výrobní číslo:
- IRFD020PBF
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 180-8317
- Výrobní číslo:
- IRFD020PBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 50V | |
| Typ balení | HVMDIP | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.1Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.330in | |
| Normy/schválení | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Délka | 0.29in | |
| Šířka | 0.425 in | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 50V | ||
Typ balení HVMDIP | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.1Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.330in | ||
Normy/schválení RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Délka 0.29in | ||
Šířka 0.425 in | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
MOSFET Vishay
Vishay MOSFET je N-kanál, HVMDIP-4 balíček je nový věkový produkt s odvodem-zdroj napětí 50V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 100 mohm na napětí hradla-zdroje 10V. MOSFET má maximální rozptyl výkonu 1W. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• kompaktní, konec stohovatelný
• snadné paralelní zapojení
• vynikající teplotní stabilita
• Rychlé přepínání
• pro automatické vkládání
• olovo (Pb) volná složka
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
Aplikace
• nabíječky baterií
• invertory
• Napájecí zdroje
• spínaný napájecí zdroj (SMPS)
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 50 V počet kolíků: 4 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRLD120PBF Typ N-kanálový 1.3 A 100 V počet kolíků: 4 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový -0.4 A 200 V počet kolíků: 4 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFD9120PBF Typ P-kanálový 1 A 100 V počet kolíků: 4 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFD9024PBF Typ P-kanálový 1.6 A 60 V počet kolíků: 4 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRFD9210PBF Typ P-kanálový -0.4 A 200 V počet kolíků: 4 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFD024PBF N-kanálový 2.5 A 60 V počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
- MOSFET Typ P-kanálový 1.1 A 50 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový