řada: IRFD MOSFET IRFD110PBF N-kanálový 1 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 kolíkový Vishay Vylepšení 1 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
919-4498
Výrobní číslo:
IRFD110PBF
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Automobilový standard

Ne

Řada

IRFD

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

1 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

100 V

Typ balení

HVMDIP

Počet kolíků

4

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Přímé napětí (Vf)

2.5 V

Výška

3.37 mm

Délka

5 mm

Maximální odpor zdroje (Rds)

540 mΩ

Maximální napětí zdroje brány (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximální provozní teplota

175 °C

Maximální ztrátový výkon (Pd)

1.3 W

Minimální provozní teplota

-55 °C

Typ montáže

Průchozí otvor

Normy/schválení

No

Typický náboj brány (Qg) @ Vgs

8.3 nC

Šířka

6.29 mm

Země původu (Country of Origin):
PH
FEATURES

• TrenchFET® power MOSFET

• Package with low thermal resistance

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.