řada: TrenchFET MOSFET SI4896DY-T1-E3 N-kanálový 9.5 A 80 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 180-7961
- Výrobní číslo:
- SI4896DY-T1-E3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
364,57 Kč
(bez DPH)
441,13 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. prosince 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 72,914 Kč | 364,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7961
- Výrobní číslo:
- SI4896DY-T1-E3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.56W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.56W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 6.2mm | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay povrchová montáž N-channel MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdroj napětí 80V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 16,5mohm při napětí hradla-zdroje 10V. Má ztrátový výkon 1,56W a proud nepřetržitého vypouštění 6,7A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento MOSFET je 6V a 10V. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Bez halogenů
• olovo (Pb) zdarma
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET
Aplikace
• přepínač adaptéru
• spínače zátěže
Certifikace
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SI4896DY-T1-E3 N-kanálový 9.5 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA20BDP-T1-GE3 N-kanálový 335 A 25 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR880BDP-T1-RE3 N-kanálový 70.6 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR876BDP-T1-RE3 N-kanálový 51.4 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA88DP-T1-GE3 N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA90DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR680DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA00DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení