řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 9.5 A 80 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 180-7296
Výrobní číslo:: SI4896DY-T1-E3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 9.5 A 80 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

75 702,50 Kč

(bez DPH)

91 600,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 26. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	30,281 Kč	75 702,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7296
Výrobní číslo:: SI4896DY-T1-E3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	9.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	80V
	Typ balení	SO-8
	Řada	TrenchFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	22mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	34nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.56W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20 V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.75mm
	Délka	5mm
	Šířka	6.2 mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 80V
	Typ balení SO-8
	Řada TrenchFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.56W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.75mm
	Délka 5mm
	Šířka 6.2 mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž N-channel MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdroj napětí 80V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 16,5mohm při napětí hradla-zdroje 10V. Má ztrátový výkon 1,56W a proud nepřetržitého vypouštění 6,7A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento MOSFET je 6V a 10V. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace

• přepínač adaptéru

• spínače zátěže

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21