řada: TrenchFET MOSFET SI7139DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 40 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 180-7890
- Výrobní číslo:
- SI7139DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
155,86 Kč
(bez DPH)
188,59 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 3 700 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,586 Kč | 155,86 Kč |
| 100 - 240 | 15,413 Kč | 154,13 Kč |
| 250 - 490 | 15,215 Kč | 152,15 Kč |
| 500 - 990 | 15,018 Kč | 150,18 Kč |
| 1000 + | 14,845 Kč | 148,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7890
- Výrobní číslo:
- SI7139DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 00090Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 49.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 48W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.12mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 6.25mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PowerPAK SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 00090Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 49.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 48W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.12mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 6.25mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay MOSFET je P-kanál, PowerPAK-SO-8 balení je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 30V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 5.5mohm na napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální ztrátový výkon 48 W. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Halogenová a olověná (Pb) volná složka
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET
Aplikace
• přepínače adaptéru
• spínače baterie
• spínače zátěže
• notebooky
Certifikace
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• testováno RG
• UIS testován
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Jednoduchý
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA14BDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SI7149ADP-T1-GE3 Typ P-kanálový 50 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiRA18BDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 64 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiRA10BDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiRA12BDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 74 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 50 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIS407ADN-T1-GE3 Typ P-kanálový 18 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay