řada: TrenchFET MOSFET SI2369DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.6 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 180-7798
Výrobní číslo:: SI2369DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET SI2369DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.6 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

186,725 Kč

(bez DPH)

225,925 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

1 700 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
25 - 225	7,469 Kč	186,73 Kč
250 - 600	7,331 Kč	183,28 Kč
625 - 1225	5,592 Kč	139,80 Kč
1250 - 2475	4,486 Kč	112,15 Kč
2500 +	3,744 Kč	93,60 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7798
Výrobní číslo:: SI2369DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	7.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	TrenchFET
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	40mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	11.4nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20 V
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.6W
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	1.12mm
	Šířka	2.64 mm
	Délka	3.04mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada TrenchFET
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.4nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 1.12mm
	Šířka 2.64 mm
	Délka 3.04mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž P-channel MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdrojovým odporem 29mohm na gate-source napětí 10V. Má maximální napětí zdroje hradla 20V a napětí zdroje vypouštění 30V. MOSFET má minimální a maximální napájecí napětí 4,5V a 10V. Má trvalý vypouštěcí proud 7,6A a maximální rozptyl výkonu 2,5W. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace

• převodník DC/DC

• pro mobilní počítače

• Spínač zátěže

• přepínač adaptéru notebooku

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• testováno RG