MPN

řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 180-7778
Výrobní číslo:: SI2347DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

231,95 Kč

(bez DPH)

280,65 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Plus 4 900 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
50 - 450	4,639 Kč	231,95 Kč
500 - 1200	3,251 Kč	162,55 Kč
1250 - 2450	3,018 Kč	150,90 Kč
2500 - 4950	2,786 Kč	139,30 Kč
5000 +	2,643 Kč	132,15 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7778
Výrobní číslo:: SI2347DS-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	TrenchFET
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	42mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.1W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20 V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	14.5nC
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	2.64 mm
	Délka	3.04mm
	Výška	1.12mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada TrenchFET
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 42mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.1W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 14.5nC
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 2.64 mm
	Délka 3.04mm
	Výška 1.12mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž P-kanál MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 30V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 42mohm při napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální jmenovitý výkon 1,7 W a trvalý proud vypouštění 5 A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento tranzistor je 4.5V a 10V příslušně. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace

• převodník DC/DC

• Spínač zátěže

• přepínač adaptéru notebooku

• řízení výkonu

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• testováno RG