řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 180-7778
- Výrobní číslo:
- SI2347DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
398,65 Kč
(bez DPH)
482,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 3 800 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 7,973 Kč | 398,65 Kč |
| 500 - 1200 | 5,577 Kč | 278,85 Kč |
| 1250 - 2450 | 5,187 Kč | 259,35 Kč |
| 2500 - 4950 | 4,782 Kč | 239,10 Kč |
| 5000 + | 4,535 Kč | 226,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7778
- Výrobní číslo:
- SI2347DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 42mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.1W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.04mm | |
| Výška | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 42mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.1W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.04mm | ||
Výška 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay povrchová montáž P-kanál MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 30V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 42mohm při napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální jmenovitý výkon 1,7 W a trvalý proud vypouštění 5 A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento tranzistor je 4.5V a 10V příslušně. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Bez halogenů
• olovo (Pb) zdarma
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET
Aplikace
• převodník DC/DC
• Spínač zátěže
• přepínač adaptéru notebooku
• řízení výkonu
Certifikace
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• testováno RG
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2369DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2307CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2365EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si2387DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2301HDS-T1-GE3 P-kanál-kanálový -3.1 A -20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2337DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení