řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 180-7277
- Výrobní číslo:
- SI2399DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 180-7277
- Výrobní číslo:
- SI2399DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 67mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.12mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 67mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.12mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Vishay
Vishay povrchová montáž P-kanál MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 20V a maximální hradlo-zdroj napětí 12V. Má odpor zdroje odvodnění 34mohm při napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální rozptyl výkonu 2,5W a trvalý vypouštěcí proud 6A. Minimální a maximální napájecí napětí pro tento tranzistor je 2.5V a 10V příslušně. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Bez halogenů
• olovo (Pb) zdarma
• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.
• TrenchFET napájení MOSFET
Aplikace
• měniče DC/DC
• Spínač zátěže
• PA přepínač
Certifikace
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• testováno RG
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 7.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 2.7 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení