řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 25 A 250 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 178-7486
Výrobní číslo:: BSC600N25NS3GATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 25 A 250 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (5000 jednotky/-ek, v kotouči po 5000 ks)*

174 450,00 Kč

(bez DPH)

211 100,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 04. října 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	34,89 Kč	174 450,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 178-7486
Výrobní číslo:: BSC600N25NS3GATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	25A
	Maximální napětí na zdroji Vds	250V
	Typ balení	TDSON
	Řada	OptiMOS 3
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	60mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	22nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	125W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	6.1mm
	Šířka	5.35mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A
	Maximální napětí na zdroji Vds 250V
	Typ balení TDSON
	Řada OptiMOS 3
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 125W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 6.1mm
	Šířka 5.35mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.1mm
	Automobilový standard Ne

BSC600N25NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

Výjimka

MOSFET Infineon OptiMOS řady 3, zdrojové napětí vypouštění 250 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A – BSC600N25NS3GATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro napájecí spínání v aplikacích pro povrchovou montáž. Pracuje v rozšířeném tepelném rozsahu a je vhodný pro obvody vyžadující robustní manipulaci s drenovým napětím a mírným nepřetržitým proudem. Zařízení je dodáváno v 8kolíkovém pouzdru TDSON pro kompaktní integraci na úrovni desky.

Charakteristiky a výhody:

• Vypínací napětí 250 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Stálý proud 25 A podporuje velkou manipulaci se zátěží
• Rds(on) 60 mΩ snižuje ztráty při vedení během provozu
• Typický náboj hradla 22 nC umožňuje citlivý výkon spínání
• Maximální ztrátový výkon 125 W umožňuje vyšší tepelnou zátěž

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové měniče DC/DC na napájecích deskách
• Ideální pro synchronní usměrnění v napájecích zdrojích
• Používá se se stupni pohonu motoru vyžadujícími manipulaci s proudem 25 A
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje s těsným půdorysem
• Vhodné pro průmyslové spínací obvody vystavené extrémním teplotám

Jaké limity napětí hradla by měly být při návrhu dodržovány?

Napětí zdroje hradla nesmí překročit 20 V, aby se zabránilo namáhání oxidem hradla a zajistila spolehlivost zařízení.

Jak typ kanálu ovlivňuje volbu topologie obvodu?

Jako zařízení pro vylepšení N-kanálu je obvykle umístěno na spodní straně spínačů nebo používáno ve synchronních topologii pro lepší účinnost.

Jaké tepelné prostředí může tolerovat během provozu?

Součást funguje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v instalacích s širokým teplotním rozsahem, kde se okolní podmínky liší.

Jaké úvahy ohledně montáže balení se doporučují?

Formát TDSON pro povrchovou montáž vyžaduje vhodné tepelné podložky PCB a pájecí profily pro řízení rozptylu tepla a mechanické stability.