MPN

MOSFET LND01K1-G N-kanálový 330 mA 9 V, SOT-23, počet kolíků: 5 Vyčerpání Jednoduchý Si

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	330 mA
	Maximální napětí kolektor/zdroj	9 V
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	5
	Maximální odpor kolektor/zdroj	1,4 Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Maximální ztrátový výkon	360 mW
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-12 V, +0,6 V
	Maximální pracovní teplota	+125 °C
	Šířka	1.75mm
	Délka	3.05mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Počet prvků na čip	1
	Výška	1.3mm
	Minimální provozní teplota	-25 °C

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 330 mA
	Maximální napětí kolektor/zdroj 9 V
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 5
	Maximální odpor kolektor/zdroj 1,4 Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Maximální ztrátový výkon 360 mW
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -12 V, +0,6 V
	Maximální pracovní teplota +125 °C
	Šířka 1.75mm
	Délka 3.05mm
	Materiál tranzistoru Si
	Počet prvků na čip 1
	Výška 1.3mm
	Minimální provozní teplota -25 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.