MOSFET LND01K1-G N-kanálový 330 mA 9 V, SOT-23, počet kolíků: 5 Vyčerpání Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 178-5338
- Výrobní číslo:
- LND01K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Dočasně není skladem, produkt bude expedován v okamžiku dostupnosti.
Přidáno
Cena Kus (na civce po 3000)
5,27 Kč
(bez DPH)
6,38 Kč
(s DPH)
| Ks | Per unit | za cívku* |
| 3000 + | 5,27 Kč | 15 813,00 Kč |
| *orientační cena | ||
- Skladové číslo RS:
- 178-5338
- Výrobní číslo:
- LND01K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET LND01 N-Channel
Microchip LND01 je nízkoprahová tranzistor MOSFET (běžně zapnutý), depleční režim. Konstrukce kombinuje možnosti manipulace s výkonem bipolárního tranzistoru s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním součinitelem zařízení MOS.
Charakteristiky
Obousměrné provedení
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání
Nízký odpor při zapnutí
Nízká vstupní kapacita
Rychlé přepínání
Impedance vysokého vstupu a vysoké zesílení
Požadavky na jednotku s nízkým výkonem
Snadné paralelní ovládání
Tranzistory MOSFET, Microchip
Specifikace
Vlastnost | Hodnota |
|---|---|
| Typ kanálu | N |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 330 mA |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 9 V |
| Typ balení | SOT-23 |
| Typ montáže | Povrchová montáž |
| Počet kolíků | 5 |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 1,4 Ω |
| Režim kanálu | Vyčerpání |
| Maximální ztrátový výkon | 360 mW |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -12 V, +0,6 V |
| Šířka | 1.75mm |
| Počet prvků na čip | 1 |
| Maximální pracovní teplota | +125 °C |
| Materiál tranzistoru | Si |
| Délka | 3.05mm |
| Výška | 1.3mm |
| Minimální provozní teplota | -25 °C |