řada: DN3135 MOSFET DN3135K1-G Typ N-kanálový 135 mA 350 V Microchip, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 165-6450
- Výrobní číslo:
- DN3135K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
213,675 Kč
(bez DPH)
258,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 10 575 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 + | 8,547 Kč | 213,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-6450
- Výrobní číslo:
- DN3135K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 135mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 350V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | DN3135 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.3W | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.02mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Normy/schválení | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 135mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 350V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada DN3135 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.3W | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.02mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Normy/schválení Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
DN3135 je tranzistor s nízkoprahovým režimem vyčerpání (normálně zapnutý), který používá pokročilou vertikální strukturu DMOS a křemíkové hradlo vyrobené prověřeným procesem. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS. Vertikální tranzistory DMOS FET jsou ideálně přizpůsobené pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací s požadavkem na vysoké průrazné napětí, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti spínání.
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Vysoké rychlosti spínání
Nízký odpor při zapnutí
Netrpí sekundárními průrazy
Nízký vstupní a výstupní svodový proud
Související odkazy
- řada: DN3135 MOSFET Typ N-kanálový 135 mA 350 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: DN3135 Jednoduché tranzistory MOSFET DN3135N8-G Typ N-kanálový 72 mA 350 V Microchip počet kolíků: 3
- MOSFET BF1107 SOT-23 (TO-236AB), počet kolíků: 3 Vyčerpání Jednoduchý Si
- MOSFET LND01K1-G N-kanálový 330 mA 9 V počet kolíků: 5 Vyčerpání Jednoduchý Si
- řada: BSS169IMOSFET BSS169IXTSA1 N-kanálový 190 mA 100 V počet kolíků: 3 Vyčerpání
- řada: LND150 MOSFET LND150K1-G Typ N-kanálový 500 V Microchip počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: BSS139I MOSFET Typ N-kanálový 100 mA 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: BSS138I MOSFET Typ N-kanálový 230 mA 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání