řada: DN3135 Jednoduché tranzistory MOSFET DN3135N8-G Typ N-kanálový 72 mA 350 V Microchip, SOT-89, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 649-459
- Výrobní číslo:
- DN3135N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
97,57 Kč
(bez DPH)
118,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 985 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,514 Kč | 97,57 Kč |
| 50 - 245 | 17,192 Kč | 85,96 Kč |
| 250 - 495 | 15,412 Kč | 77,06 Kč |
| 500 + | 13,832 Kč | 69,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 649-459
- Výrobní číslo:
- DN3135N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 72mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 350V | |
| Typ balení | SOT-89 | |
| Řada | DN3135 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.3W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Výška | 1.12mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 72mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 350V | ||
Typ balení SOT-89 | ||
Řada DN3135 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.3W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Výška 1.12mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor Microchip s režimem vyčerpání s nízkou prahovou hodnotou (normálně zapnutý) využívající pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou hradlicí. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního poškození
Nízký vstupní a výstupní únik
Související odkazy
- Nexperia Tranzistor 500 mA NPN 350 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Nexperia Tranzistor BST39TA 500 mA NPN 350 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- Tranzistor BCX5416H6327XTSA1 NPN 1 A 45 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- ROHM Tranzistor 1 A NPN počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- DiodesZetex Tranzistor 1 A NPN 80 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- DiodesZetex Tranzistor 5 A NPN 60 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- DiodesZetex Tranzistor 1 A NPN 20 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý
- DiodesZetex Tranzistor -4.3 A PnP -60 V počet kolíků: 3 kolíkový Jednoduchý