řada: FCMT MOSFET FCMT250N65S3 Typ N-kanálový 12 A 650 V onsemi, Power88, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 178-4657
Výrobní číslo:: FCMT250N65S3
Výrobce:: onsemi

řada: FCMT MOSFET FCMT250N65S3 Typ N-kanálový 12 A 650 V onsemi, Power88, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

465,35 Kč

(bez DPH)

563,07 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 4 220 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za balení*
10 - 90	46,535 Kč	465,35 Kč
100 - 240	43,25 Kč	432,50 Kč
250 +	42,188 Kč	421,88 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 178-4657
Výrobní číslo:: FCMT250N65S3
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	12A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Řada	FCMT
	Typ balení	Power88
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	250mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd	90W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	±30 V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	24nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	8mm
	Šířka	8 mm
	Výška	1.05mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Řada FCMT
	Typ balení Power88
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 250mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd 90W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs ±30 V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 8mm
	Šířka 8 mm
	Výška 1.05mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: PH

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 210 mΩ

Moisture Sensitivity Level 1 guarantee

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Telecommunication

Industrial

End Products:

Telecom / Server

Adapter

LED Lighting

řada: FCMT MOSFET FCMT250N65S3 Typ N-kanálový 12 A 650 V onsemi, Power88, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy