AEC-Q101, řada: NVMFS6H818N MOSFET NVMFS6H818NT1G Typ N-kanálový 123 A 80 V onsemi, DFN, počet kolíků: 5 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

350,94 Kč

(bez DPH)

424,64 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 1 470 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
10 +35,094 Kč350,94 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-4464
Výrobní číslo:
NVMFS6H818NT1G
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

123A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

DFN

Řada

NVMFS6H818N

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

5

Maximální odpor zdroje Rds

3.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

136W

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

1.05mm

Délka

5.1mm

Normy/schválení

No

Šířka

6.1 mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
MY
Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici provedení se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Vhodné pro automobilové aplikace.

Charakteristiky

Malý půdorys (5 x 6 mm)

Nízká hodnota RDS(on)

Nízká hodnota QG a kapacita

NVMFS6H818NWF − možnost se smáčitelnými boky

Možnost PPAP

Výhody

Kompaktní provedení

Minimalizuje ztráty vedením

Minimalizace ztrát budiče

Lepší optická kontrola

Aplikace

Spínané napájecí zdroje

Napájecí spínače (budič High Side, budič Low Side, H-můstky atd.)

Systémy 48 V

Koncové produkty

Řízení motoru

Měnič DC/DC

Spínač zátěže

Související odkazy