řada: NTMFS6H818N MOSFET Typ N-kanálový 123 A 80 V onsemi, DFN, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Nedostatečné zásobování
Vzhledem ke globálnímu nedostatku dodávek, nevíme, kdy tato položka bude znovu skladem.
Skladové číslo RS:
178-4316
Výrobní číslo:
NTMFS6H818NT1G
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

123A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Řada

NTMFS6H818N

Typ balení

DFN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

5

Maximální odpor zdroje Rds

3.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46nC

Maximální ztrátový výkon Pd

3.8W

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

1.05mm

Délka

5.1mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MY
Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry.

Charakteristiky

Malý půdorys (5 x 6 mm)

Nízká hodnota RDS(on)

Nízká hodnota QG a kapacita

Výhody

Kompaktní provedení

Minimalizuje ztráty vedením

Minimalizace ztrát budiče

Aplikace

Spínané napájecí zdroje

Napájecí spínače (budič High Side, budič Low Side, H-

můstky atd.)

Systémy 48 V

Řízení a ochrana baterií

Koncové produkty

Řízení motoru

Měnič DC/DC

Spínač zátěže

Bateriové moduly a ESS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.