řada: TrenchFET MOSFET SiA106DJ-T1-GE3 Typ N-kanálový 12 A 60 V Vishay Siliconix, SC-70-6L, počet kolíků: 6 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

140,10 Kč

(bez DPH)

169,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4014,01 Kč140,10 Kč
50 - 9012,651 Kč126,51 Kč
100 - 49011,894 Kč118,94 Kč
500 - 99011,18 Kč111,80 Kč
1000 +9,821 Kč98,21 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-3901
Výrobní číslo:
SiA106DJ-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

TrenchFET

Typ balení

SC-70-6L

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

0.0185Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

6.9nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±20 V

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

19W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

2.2mm

Výška

1mm

Šířka

1.35 mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

Související odkazy