řada: TrenchFET MOSFET SiA106DJ-T1-GE3 Typ N-kanálový 12 A 60 V Vishay Siliconix, SC-70-6L, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 178-3901
- Výrobní číslo:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
231,19 Kč
(bez DPH)
279,74 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 800 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 23,119 Kč | 231,19 Kč |
| 50 - 90 | 20,872 Kč | 208,72 Kč |
| 100 - 490 | 19,612 Kč | 196,12 Kč |
| 500 - 990 | 18,476 Kč | 184,76 Kč |
| 1000 + | 16,203 Kč | 162,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3901
- Výrobní číslo:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SC-70-6L | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0185Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 19W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.2mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SC-70-6L | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0185Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 19W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.2mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS – Qoss
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 12 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si2319DDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.6 A 40 V Vishay Siliconix počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET MOSFET SiS110DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 14.2 A 100 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SC-70-6L, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70-6L, počet kolíků: 6
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 3.6 A 40 V Vishay Siliconix počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení