AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQJ504EP-T1_GE3 Typ N, Typ P-kanálový 30 A 40 V, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 178-3893
- Výrobní číslo:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
335,92 Kč
(bez DPH)
406,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Nedostatečné zásobování
V důsledku omezení v dodavatelském řetězci budou skladové zásoby přiděleny podle dostupnosti.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 33,592 Kč | 335,92 Kč |
| 100 - 490 | 32,555 Kč | 325,55 Kč |
| 500 - 990 | 31,715 Kč | 317,15 Kč |
| 1000 + | 30,875 Kč | 308,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3893
- Výrobní číslo:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 34W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.07mm | |
| Délka | 5.99mm | |
| Šířka | 5 mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 34W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.07mm | ||
Délka 5.99mm | ||
Šířka 5 mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Duální kanál pro povrchovou montáž Vishay (kanály N i P) MOSFET je nový věkový produkt s napětím odvodnění 40 V. Má odpor odvodňovacího zdroje 17 MOhm při napětí zdroje hradla 10 V. Má maximální rozptyl 34 W a nepřetržitý odvodňovací proud 30 A. MOSFET byl optimalizován pro snížení ztrát při přepínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti. Platí pro automobilový průmysl.
Charakteristiky a výhody
• Bez halogenů
• bez olova (Pb)
• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 175 °C.
• TrenchyFET napájení MOSFET
Osvědčení
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Zkouší se hodnota Rg
• Zkouška UIS
Související odkazy
- AEC-Q101 Typ P-kanálový 30 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Siliconix
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay