AEC-Q101, řada: TrenchFET Automobilový MOSFET SQ4961CEY-T1_GE3 P-kanál-kanálový -4.4 A 60 V Vishay, SO-8, počet kolíků:
- Skladové číslo RS:
- 790-420
- Výrobní číslo:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
195,62 Kč
(bez DPH)
236,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 19,562 Kč | 195,62 Kč |
| 100 - 490 | 12,128 Kč | 121,28 Kč |
| 500 - 990 | 9,386 Kč | 93,86 Kč |
| 1000 + | 6,348 Kč | 63,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-420
- Výrobní číslo:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | Automobilový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -4.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.085Ω | |
| Režim kanálu | MOSFET | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 40nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.3W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu Automobilový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -4.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.085Ω | ||
Režim kanálu MOSFET | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 40nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.3W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay nabízí vysoký výkon v automobilových aplikacích s konfigurací se dvěma P-kanály navrženou pro efektivní řízení napětí až 60 V při provozu v extrémních teplotních podmínkách 175 °C.
Certifikát AEC Q101 pro spolehlivost v automobilovém průmyslu
100% testování R a UIS zajišťuje konzistentní provoz
Dvojitá konfigurace P-kanálů zvyšuje flexibilitu konstrukce
Nízký odpor v zapnutém stavu zvyšuje energetickou účinnost