MPN

AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQS966ENW-T1_GE3 Typ N-kanálový 6 A 60 V, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

2 029,40 Kč

(bez DPH)

2 455,60 Kč

(s DPH)

Dočasně vyprodáno

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay Siliconix
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	PowerPAK 1212
	Řada	TrenchFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	60mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	27.8W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	12.1nC
	Přímé napětí Vf	0.82V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Konfigurace tranzistoru	Duální
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Délka	3.15mm
	Výška	1.07mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay Siliconix
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení PowerPAK 1212
	Řada TrenchFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 27.8W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.1nC
	Přímé napětí Vf 0.82V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Konfigurace tranzistoru Duální
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Délka 3.15mm
	Výška 1.07mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard AEC-Q101

Výjimka

Napájecí TrenchFET® MOSFET

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.