AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQS966ENW-T1_GE3 Typ N-kanálový 6 A 60 V, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

595,275 Kč

(bez DPH)

720,275 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
25 - 7523,811 Kč595,28 Kč
100 - 47520,294 Kč507,35 Kč
500 - 97517,863 Kč446,58 Kč
1000 +15,492 Kč387,30 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-3851
Výrobní číslo:
SQS966ENW-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

TrenchFET

Typ balení

PowerPAK 1212

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

60mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.1nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.82V

Maximální ztrátový výkon Pd

27.8W

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Duální

Normy/schválení

No

Délka

3.15mm

Výška

1.07mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
CN
Napájecí TrenchFET® MOSFET

Související odkazy