AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQS944ENW-T1_GE3 Typ N-kanálový 6 A 40 V, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

481,65 Kč

(bez DPH)

582,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Výroba končí
  • Posledních 2 975 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
25 - 7519,266 Kč481,65 Kč
100 - 47516,381 Kč409,53 Kč
500 - 97514,425 Kč360,63 Kč
1000 +12,518 Kč312,95 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-3956
Výrobní číslo:
SQS944ENW-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Typ balení

PowerPAK 1212

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

40mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

27.8W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

7.6nC

Přímé napětí Vf

0.82V

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Duální

Šířka

3.15 mm

Výška

1.07mm

Normy/schválení

No

Délka

3.15mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
CN
Napájecí TrenchFET® MOSFET

Související odkazy