AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQD40031EL_GE3 Typ P-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix, TO-252, počet kolíků: 4

Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
178-3715
Výrobní číslo:
SQD40031EL_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

TO-252

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

136W

Přímé napětí Vf

-1.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

186nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

6.73mm

Výška

6.22mm

Šířka

2.38mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Výjimka

Vishay MOSFET


Model Vishay pro povrchovou montáž, MOSFET s kanálem P, je nový věkový produkt s výstupním napětím 30 V a maximálním zdrojovým napětím 20 V. Má odpor zdroje vypouštění 3,2mohms při napětí zdroje hradla 10 V. Má maximální rozptyl výkonu 136 W a nepřetržitý odvodňovací proud 100 A. Má minimální a maximální jízdní napětí 4,5 V a 10 V. Používá se v automobilových aplikacích. MOSFET byl optimalizován pro snížení ztrát při přepínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Bez halogenů

• bez olova (Pb)

• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 175 °C.

• TrenchyFET napájení MOSFET

Osvědčení


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Zkouší se hodnota Rg

• Zkouška UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.