řada: VN0300 MOSFET VN0300L-G Typ N-kanálový 640 mA 30 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 30 jednotky/-ek (dodává se v sáčku)*

901,05 Kč

(bez DPH)

1 090,26 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 420 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
30 - 9030,035 Kč
100 +27,294 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
177-9871P
Výrobní číslo:
VN0300L-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

640mA

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

VN0300

Typ balení

TO-92

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.3Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Maximální ztrátový výkon Pd

1W

Přímé napětí Vf

0.9V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

4.06mm

Normy/schválení

No

Výška

5.33mm

Délka

5.08mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
TW

Technologie Microchip MOS


Technologie Microchip pro montáž do otvoru, N-channel MOSFET je nový věkový produkt s výstupním napětím 30 V a maximálním zdrojovým napětím 30 V. Odpor zdroje vypouštění je 1,2 Ω při napětí zdroje signálu zadní výklopné stěny 10 V. Má stálý vypouštěcí proud 640mA a maximální rozptyl výkonu 1W. Minimální a maximální budicí napětí pro tento MOSFET je 5 V a 10 V. MOSFET je režim vylepšení (normálně vypnutý) MOSFET, který využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces silikonových hradel. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení je pro všechny technicky náročné konstrukce MOS bez teplotního rozběhu a tepelně vyvolané druhotné poruchy. Tento vertikální DMOS FET byl optimalizován pro nižší ztráty spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Soutěž

• Vynikající tepelná stabilita

• Bez sekundárního členění

• Vysoká vstupní impedance a vysoké zesílení

• Integrovaná dioda pro odvádění vody

• Nízká rychlost otáčení a rychlé přepínání

• Požadavek jednotky s nízkým výkonem

• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 150 °C.

Aplikace


• Zesilovače

• Konvertory

• Ovladače: Relé, kladiva, elektromagnetické ventily, lampy, paměti, displeje, bipolární tranzistory atd.

• Ovládání motorů

• Elektrické obvody napájení

• Spínače

Osvědčení


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.