řada: TP2540 MOSFET Typ P-kanálový 125 mA 400 V Microchip, TO-243, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 177-9867P
- Výrobní číslo:
- TP2540N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 051,00 Kč
(bez DPH)
1 271,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 705 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 95 | 42,04 Kč |
| 100 + | 40,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 177-9867P
- Výrobní číslo:
- TP2540N8-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 125mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 400V | |
| Typ balení | TO-243 | |
| Řada | TP2540 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 30Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.6mm | |
| Délka | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 125mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 400V | ||
Typ balení TO-243 | ||
Řada TP2540 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 30Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.6mm | ||
Délka 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
Tento tranzistor s nízkým prahovým napětím a režimem obohacení (spínací) využívá vertikální strukturu DMOS a křemíkové hradlo vyrobené prověřeným procesem. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS. Vertikální tranzistory DMOS FET jsou ideálně přizpůsobené pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací s požadavkem na velmi nízké prahové napětí, vysoké průrazné napětí, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti spínání.
Nízké prahové napětí (max. -2,4 V)
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita (typicky 60 pF)
Vysoké rychlosti spínání
Nízký odpor při zapnutí
Netrpí sekundárními průrazy
Nízký vstupní a výstupní svodový proud
Související odkazy
- PLC procesor řada SIMATIC S7-1200 relé Ethernet 14 vstupů/výstupů 1 MB 8 6 Lišta DIN, Nástěnná
- Dveřní lišta proti dešti délka: 838mm x 32 mm x 20.75mm RS PRO
- Protipovodňová bariéra 30 l množství v balení: 1 ks v balení RS PRO
- Zmrazovací sprej, 400 ml Aerosol -45°C RS PRO
- Elektroměr, řada: SENTRON PAC2200 LCD 3fázový Siemens
- Pneumatický spínač polovodičový SMC
- Knoflíková baterie 3V CR2050 CR2050 Murata
- Mikrometr5 μm0001 mm0005 mm max. měření: 25mm, rozsah: 0 mm →25
