MOSFET Typ N-kanálový 3 A Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 30 jednotky/-ek (dodává se v sáčku)*

700,98 Kč

(bez DPH)

848,19 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 070 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
30 - 9023,366 Kč
100 +21,613 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
177-9861P
Výrobní číslo:
TP0606N3-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3A

Typ balení

TO-92

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.8V

Maximální ztrátový výkon Pd

1W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Tento tranzistor s nízkým prahovým napětím a režimem obohacení (spínací) využívá vertikální strukturu DMOS a křemíkové hradlo vyrobené prověřeným procesem. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS. Vertikální tranzistory DMOS FET jsou ideálně přizpůsobené pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací s požadavkem na velmi nízké prahové napětí, vysoké průrazné napětí, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti spínání.

Nízké prahové napětí – max. 2,0 V

Vysoká vstupní impedance

Nízká vstupní kapacita – typicky 100 pF

Vysoké rychlosti spínání

Nízký odpor při zapnutí

Netrpí sekundárními průrazy

Nízký vstupní a výstupní svodový proud

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.