řada: TN2106 MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V Microchip, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 177-9842P
Výrobní číslo:: TN2106K1-G
Výrobce:: Microchip

řada: TN2106 MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V Microchip, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

284,54 Kč

(bez DPH)

344,30 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

2 100 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
20 +	14,227 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 177-9842P
Výrobní číslo:: TN2106K1-G
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	280mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	TN2106
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	5Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	360mW
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.8V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	1.4mm
	Délka	3.04mm
	Výška	1.02mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 280mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada TN2106
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 5Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 360mW
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.8V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Šířka 1.4mm
	Délka 3.04mm
	Výška 1.02mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Tento tranzistor s nízkým prahovým napětím a režimem obohacení (spínací) využívá vertikální strukturu DMOS a křemíkové hradlo vyrobené prověřeným procesem. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS. Vertikální tranzistory DMOS FET jsou ideálně přizpůsobené pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací s požadavkem na velmi nízké prahové napětí, vysoké průrazné napětí, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti spínání.

Netrpí sekundárními průrazy

Nízké požadavky na budicí výkon

Snadné paralelní zapojení

Nízký CISS a vysoké rychlosti spínání

Výborná teplotní stabilita

Integrovaná source-drain dioda

Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk

řada: TN2106 MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V Microchip, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS