řada: RD3P130SP MOSFET RD3P130SPTL1 Typ P-kanálový 13 A 100 V ROHM, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 172-0456
- Výrobní číslo:
- RD3P130SPTL1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (10 jednotky/-ek, v balení po 10 ks)*
388,28 Kč
(bez DPH)
469,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 040 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | 38,828 Kč | 388,28 Kč |
| 250 - 740 | 34,975 Kč | 349,75 Kč |
| 750 - 1190 | 31,838 Kč | 318,38 Kč |
| 1200 - 1990 | 27,269 Kč | 272,69 Kč |
| 2000 + | 26,701 Kč | 267,01 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 172-0456
- Výrobní číslo:
- RD3P130SPTL1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | RD3P130SP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 200mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 40nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.8mm | |
| Normy/schválení | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Šířka | 6.4mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada RD3P130SP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 200mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 40nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.8mm | ||
Normy/schválení Pb-free lead plating, RoHS | ||
Šířka 6.4mm | ||
Výška 2.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
RD3P130SP je výkonový tranzistor MOSFET s nízkým odporem při zapnutí, který je vhodný pro spínání.
Nízký odpor při zapnutí
Vysoká rychlost spínání
Budicí obvody mohou být jednoduché.
Možnost paralelního zapojení
Povrchová vrstva bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: RD3P130SP MOSFET RD3P130SPTL1 Typ P-kanálový 13 A 100 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RD3 MOSFET RD3P130SPFRATL Typ P-kanálový 13 A 100 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: R6013VND3 NaN MOSFET N-kanálový 13 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: R6013VND3 NaN MOSFET R6013VND3TL1 N-kanálový 13 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RD3H045SP MOSFET Typ P-kanálový -4.5 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RD3H160SP MOSFET Typ P-kanálový 16 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RD3H160SP MOSFET RD3H160SPTL1 Typ P-kanálový 16 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RD3H045SP MOSFET RD3H045SPTL1 Typ P-kanálový -4.5 A 45 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení