řada: R6013VND3 NaN MOSFET R6013VND3TL1 N-kanálový 13 A 600 V ROHM, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 265-5415
- Výrobní číslo:
- R6013VND3TL1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
241,57 Kč
(bez DPH)
292,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 445 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,314 Kč | 241,57 Kč |
| 50 - 95 | 43,374 Kč | 216,87 Kč |
| 100 - 245 | 34,876 Kč | 174,38 Kč |
| 250 - 995 | 34,184 Kč | 170,92 Kč |
| 1000 + | 28,454 Kč | 142,27 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 265-5415
- Výrobní číslo:
- R6013VND3TL1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | R6013VND3 NaN | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.3Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 131W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS NaN | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada R6013VND3 NaN | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.3Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 131W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS NaN | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM s nízkým odporem při zapnutí a vysokým výkonem, který je vhodný pro spínací obvody, jednoduché baterie a mobilní aplikace.
Rychlá doba zpětného zotavení (trr)
Nízký odpor
Rychlá rychlost přepínání
Pohonné obvody mohou být jednoduché
Související odkazy
- řada: R6013VND3 NaN MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RD3P130SP MOSFET RD3P130SPTL1 Typ P-kanálový 13 A 100 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RD3P050SN MOSFET RD3P050SNTL1 Typ N-kanálový ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET R6509END3TL1 Typ N-kanálový 9 A 650 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET R6507KND3TL1 Typ N-kanálový 7 A 650 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET R6504END3TL1 Typ N-kanálový 4 A 650 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET R6504KND3TL1 Typ N-kanálový 4 A 650 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET R6507END3TL1 Typ N-kanálový 7 A 650 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení