standard: AEC-Q101MOSFET TK33S10N1Z N-kanálový 33 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
171-2422
Výrobní číslo:
TK33S10N1Z
Výrobce:
Toshiba
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

33 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Typ balení

DPAK (TO-252)

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

9.7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Délka

6.5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

28 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Počet prvků na čip

1

Šířka

7mm

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Výška

2.3mm

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
JP
Automobilový průmysl
Spínací regulátory napětí
Ovladače motorů
Nízký odpor kolektoru při zapnutí: RDS(ON) = 8,2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Nízký svodový proud: IDSS = -10 μA (max.) (VDS = 100 V)
Rozšířený režim: Vth = 2,0 až 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

Související odkazy