řada: OptiMOSMOSFET IPD30N06S223ATMA1 N-kanálový 30 A 55 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 857-4584
- Výrobní číslo:
- IPD30N06S223ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
26 457,50 Kč
(bez DPH)
32 012,50 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 10,583 Kč | 26 457,50 Kč |
| 5000 - 10000 | 10,203 Kč | 25 507,50 Kč |
| 12500 + | 10,07 Kč | 25 175,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 857-4584
- Výrobní číslo:
- IPD30N06S223ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 30 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 55 V | |
| Series | OptiMOS | |
| Typ balení | DPAK (TO-252) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 23 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 100 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 25 nC při 10 V | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 30 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 55 V | ||
Series OptiMOS | ||
Typ balení DPAK (TO-252) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 23 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.1V | ||
Maximální ztrátový výkon 100 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Šířka 6.22mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 25 nC při 10 V | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Nelze použít
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: OptiMOSMOSFET IPD30N06S2L23ATMA1 N-kanálový 30 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOSMOSFET IPD22N08S2L50ATMA1 N-kanálový 27 A 75 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- standard: AEC-Q101MOSFET TK55S10N1 N-kanálový 55 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- standard: AEC-Q101MOSFET DMNH6011LK3-13 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- MOSFET NDD05N50ZT4G N-kanálový 5 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOSMOSFET IPP80N06S207AKSA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET TSM70N600CP ROG N-kanálový 8 A 700 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- MOSFET TSM2N100CP ROG N-kanálový 1 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý
