řada: PMV30UN2 MOSFET PMV30UN2R N-kanálový 5.4 A 20 V Nexperia, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 170-5432
- Výrobní číslo:
- PMV30UN2R
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
401,40 Kč
(bez DPH)
485,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 8,028 Kč | 401,40 Kč |
| 250 - 450 | 7,222 Kč | 361,10 Kč |
| 500 - 1200 | 6,432 Kč | 321,60 Kč |
| 1250 - 2450 | 5,627 Kč | 281,35 Kč |
| 2500 + | 4,821 Kč | 241,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 170-5432
- Výrobní číslo:
- PMV30UN2R
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | PMV30UN2 | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 100mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada PMV30UN2 | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 100mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Spínací řešení pro přenosné konstrukce. Výběr z široké nabídky tranzistorů MOSFET s jedním a dvěma N-kanály do 20 V. Vysoká spolehlivost díky osvědčené technologii TrenchMOS a provedení pouzdra. Naše snadno použitelné nízkonapěťové tranzistory MOSFET jsou konstruovány speciálně pro požadavky mobilních aplikací s nízkým budicím napětím.
Unipolární tranzistor (FET) s rozšířeným N-kanálem v malém plastovém SMD pouzdru SOT23 (TO-236AB) s technologií Trench MOSFET.
Technologie Trench MOSFET
Nízké prahové napětí
Velmi rychlé spínání
Vylepšený rozptyl energie 1 000 mW
Cílové aplikace
Budič LED
Řízení napájení
Spínač zátěže low side
Obvody spínačů
Související odkazy
- řada: PMV30UN2 MOSFET N-kanálový 5.4 A 20 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 270 mA 60 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NX7002BKR N-kanálový 270 mA 60 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.9 A 20 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PMV16XN MOSFET N-kanálový 8.6 A 20 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PMV20XNE MOSFET N-kanálový 7.2 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení