MOSFET N-kanálový 270 mA 60 V Nexperia, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-2761
- Výrobní číslo:
- NX7002BKR
- Výrobce:
- Nexperia
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 500 kusů a ušetřete 4%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 250 kusech)*
282,25 Kč
(bez DPH)
341,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 16 000 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 250 - 250 | 1,129 Kč | 282,25 Kč | - |
| 500 - 1000 | 1,073 Kč | 268,25 Kč | 4% |
| 1250 - 2250 | 0,678 Kč | 169,50 Kč | 39% |
| 2500 + | 0,644 Kč | 161,00 Kč | 42% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-2761
- Výrobní číslo:
- NX7002BKR
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 270mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.67W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 270mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.67W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistory MOSFET pro logickou a standardní úroveň, Vyzkoušejte naše robustní a snadno použitelné tranzistory MOSFET v rozsahu 40 až 60 V z našeho rozsáhlého portfolia zařízení MOSFET. Tranzistory jsou ideální pro aplikace s důrazem na úsporu místa a vysoký výkon, vynikající spínací funkci a špičková bezpečnostní zařízení (SOA).
Unipolární tranzistor (FET) s rozšířeným N-kanálem 60 V v malém plastovém SMD pouzdru SOT23 (TO-236AB) s technologií Trench MOSFET
Kompatibilní s logickými úrovněmi
Velmi rychlé spínání
Technologie Trench MOSFET
Ochrana před elektrostatickými výboji (ESD)> 2 kV HBM
Související odkazy
- MOSFET NX7002BKR N-kanálový 270 mA 60 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.9 A 20 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PMV16XN MOSFET N-kanálový 8.6 A 20 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: BSH105 MOSFET N-kanálový 1.05 A 20 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 3.1 A 60 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PMV45EN2 MOSFET N-kanálový 5.1 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: BSH108 MOSFET N-kanálový 1.9 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PMV40UN2 MOSFET N-kanálový 4.4 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení