řada: STripFET MOSFET N-kanálový 75 A 200 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-7585
- Výrobní číslo:
- STW75NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (30 jednotky/-ek, do tubusu po 30 ks)*
2 176,32 Kč
(bez DPH)
2 633,34 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 270 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 72,544 Kč | 2 176,32 Kč |
| 150 - 270 | 70,73 Kč | 2 121,90 Kč |
| 300 + | 68,772 Kč | 2 063,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7585
- Výrobní číslo:
- STW75NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 75A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | STripFET | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 34mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -50°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.15mm | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 75A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada STripFET | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 34mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -50°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.15mm | ||
Šířka 5.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET MOSFET STW75NF20 N-kanálový 75 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB75NF20 N-kanálový 75 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STP75NF20 N-kanálový 75 A 200 V počet kolíků: 3 kolíkový STMicroelectronics Vylepšení 1
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 75 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB160N75F3 N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 80 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení