řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 920-8840
- Výrobní číslo:
- STP75NF75
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 882,15 Kč
(bez DPH)
2 277,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 300 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2026
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 09. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 37,643 Kč | 1 882,15 Kč |
| 250 - 450 | 34,293 Kč | 1 714,65 Kč |
| 500 + | 30,604 Kč | 1 530,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 920-8840
- Výrobní číslo:
- STP75NF75
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STripFET II | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 117nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 9.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STripFET II | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 117nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 9.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET II MOSFET STP75NF75 Typ N-kanálový 80 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 75 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STP140NF75 Typ N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 38 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 60 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 55 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení