řada: MDmeshMOSFET STF22NM60N N-kanálový 16 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 168-7572
- Výrobní číslo:
- STF22NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 168-7572
- Výrobní číslo:
- STF22NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 16 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 600 V | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 220 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 30 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -30 V, +30 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 44 nC při 10 V | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 16.4mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 16 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 600 V | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 220 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 30 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 4.6mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Délka 10.4mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 44 nC při 10 V | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 16.4mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Související odkazy
- řada: MDmeshMOSFET STB7ANM60N N-kanálový 5 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NDF10N60ZG N-kanálový 10 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NDF04N60ZG N-kanálový 4 TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NDF06N60ZG N-kanálový 7 TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET RJK6012DPP-E0#T2 N-kanálový 10 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh4 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: SiHF068N60EF MOSFET SIHF068N60EF-GE3 Typ N-kanálový 16 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový