řada: MDmeshMOSFET STB7ANM60N N-kanálový 5 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 145-8812
- Výrobní číslo:
- STB7ANM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
13 412,00 Kč
(bez DPH)
16 229,00 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 13,412 Kč | 13 412,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-8812
- Výrobní číslo:
- STB7ANM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 5 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 600 V | |
| Typ balení | DPAK (TO-252) | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 900 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 45 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -25 V, +25 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 14 nC při 10 V | |
| Délka | 6.6mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Výška | 2.4mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 5 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 600 V | ||
Typ balení DPAK (TO-252) | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 900 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 45 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -25 V, +25 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 14 nC při 10 V | ||
Délka 6.6mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Šířka 6.2mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Výška 2.4mm | ||
Související odkazy
- MOSFET SIHD186N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT IRG4RC10UDPBF N-kanálový 8 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý
- řada: TKMOSFET TK7P60W DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK10P60W7 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh4 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmeshMOSFET STF22NM60N N-kanálový 16 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NDD05N50ZT4G N-kanálový 5 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si