řada: Linear L2 MOSFET Typ N-kanálový 178 A 100 V IXYS, SOT-227, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-4584
- Výrobní číslo:
- IXTN200N10L2
- Výrobce:
- IXYS
Mezisoučet (1 tuba po 10 kusech)*
13 834,22 Kč
(bez DPH)
16 739,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 10 + | 1 383,422 Kč | 13 834,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-4584
- Výrobní číslo:
- IXTN200N10L2
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 178A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SOT-227 | |
| Řada | Linear L2 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 540nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 830W | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 9.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 38.23mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 178A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SOT-227 | ||
Řada Linear L2 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 540nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 830W | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 9.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 38.23mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS
Výkonové tranzistory MOSFET N-Channel určené speciálně pro lineární provoz. Tato zařízení jsou vybavena rozšířenou operační oblastí pro bezpečný chod vpřed (FBSOA) pro zvýšenou robustnost a spolehlivost.
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: Linear L2 MOSFET IXTN200N10L2 Typ N-kanálový 178 A 100 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: Linear MOSFET Typ N-kanálový 46 A 500 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: Linear MOSFET Typ N-kanálový 62 A 500 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: Linear MOSFET IXTN46N50L Typ N-kanálový 46 A 500 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: Linear MOSFET IXTN62N50L Typ N-kanálový 62 A 500 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: Linear MOSFET Typ N-kanálový 22 A 1 kV IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: Linear MOSFET IXTN22N100L Typ N-kanálový 22 A 1 kV IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IXFN180N15P Typ N-kanálový 150 A 150 V počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení