Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 115 mA 60 V, SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný

Skladové číslo RS:: 166-1841
Výrobní číslo:: 2N7002DW
Výrobce:: onsemi

Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 115 mA 60 V, SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

9 354,00 Kč

(bez DPH)

11 319,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

69 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	3,118 Kč	9 354,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 166-1841
Výrobní číslo:: 2N7002DW
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	115mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	SC-70
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	13.5Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	200mW
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Délka	2mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	1.25mm
	Výška	1mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 115mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení SC-70
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 13.5Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 200mW
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Délka 2mm
	Normy/schválení No
	Šířka 1.25mm
	Výška 1mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

2N7002DW je duální N-kanálový univerzální MOSFET. Vykazuje nízký odpor a nízké prahové napětí zadní výklopné stěny. Disponuje také vysokou rychlostí přepínání a je k dispozici v mimořádně malém balení pro povrchovou montáž. Tento dvoukanálový MOSFET typu N se obvykle používá ve všech univerzálních aplikacích, ale běžně se používá v ovládacích prvcích motoru a funkcích PMF (Power Management Functions).

Charakteristiky a výhody:

• Dual N-Channel

• Nízká odolnost

• Nízká prahová hodnota zadní výklopné stěny

• Rychlá přepínací rychlost

• Nízká netěsnost na vstupu a výstupu

Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor

Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 115 mA 60 V, SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Charakteristiky a výhody:

Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS