MOSFET 2N7002DW N-kanálový 115 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

2N7002DW je duální N-kanálový univerzální MOSFET. Vykazuje nízký odpor a nízké prahové napětí zadní výklopné stěny. Disponuje také vysokou rychlostí přepínání a je k dispozici v mimořádně malém balení pro povrchovou montáž. Tento dvoukanálový MOSFET typu N se obvykle používá ve všech univerzálních aplikacích, ale běžně se používá v ovládacích prvcích motoru a funkcích PMF (Power Management Functions).

• Dual N-Channel
• Nízká odolnost
• Nízká prahová hodnota zadní výklopné stěny
• Rychlá přepínací rychlost
• Nízká netěsnost na vstupu a výstupu

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.