řada: TrenchFET MOSFET SIA447DJ-T1-GE3 Typ P-kanálový 12 A 12 V Vishay, SC-70, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6977
- Výrobní číslo:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*
15 738,00 Kč
(bez DPH)
19 044,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,246 Kč | 15 738,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-6977
- Výrobní číslo:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 12V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SC-70 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 71mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 19W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -8, +8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.8mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.7mm | |
| Délka | 1.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 12V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SC-70 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 71mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 19W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -8, +8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.8mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.7mm | ||
Délka 1.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SIA447DJ-T1-GE3 Typ P-kanálový 12 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3477DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI1401EDH-T1-GE3 Typ P-kanálový 4 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SISF12EDN-T1-GE3 N-kanálový 85 A 12 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3421DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si3129DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.4 A 80 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3493DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si6423ADQ-T1-GE3 Typ P-kanálový 12.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení