řada: Si3433CDV MOSFET SI3433CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay, TSOP, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6911
- Výrobní číslo:
- SI3433CDV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 165-6911
- Výrobní číslo:
- SI3433CDV-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | TSOP | |
| Řada | Si3433CDV | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -8V, +8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.3W | |
| Přímé napětí Vf | -0.8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 3.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení TSOP | ||
Řada Si3433CDV | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -8V, +8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.3W | ||
Přímé napětí Vf -0.8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1mm | ||
Délka 3.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si3433CDV MOSFET SI3433CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3477DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: Si3473CDV MOSFET SI3473CDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3493DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI3421DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 8 A 30 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si3129DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.4 A 80 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI3460DDV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový
- MOSFET SI3438DV-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.4 A 40 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový