řada: HEXFET MOSFET IRF7104TRPBF Typ P-kanálový 2.3 A 20 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 165-5596
- Výrobní číslo:
- IRF7104TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*
30 324,00 Kč
(bez DPH)
36 692,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 7,581 Kč | 30 324,00 Kč |
| 8000 + | 7,392 Kč | 29 568,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5596
- Výrobní číslo:
- IRF7104TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 400mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 400mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P 12 V až 20 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLML9303TRPBF Typ P-kanálový 2.3 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 16 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5.4 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 10.5 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 20 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -3.6 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení