Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 4.1 A 20 V, ChipFET, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 163-1110
- Výrobní číslo:
- NTHD4102PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
30 594,00 Kč
(bez DPH)
37 020,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 22. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 10,198 Kč | 30 594,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 163-1110
- Výrobní číslo:
- NTHD4102PT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | ChipFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 170mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -0.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -8, +8V | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 1.1mm | |
| Délka | 3.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.7mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení ChipFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 170mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -0.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -8, +8V | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 1.1mm | ||
Délka 3.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.7mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- Výkonový MOSFET NTHD4102PT1G Typ P-kanálový 4.1 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 6 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 6.9 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 7 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2.9 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 3.7 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET NDS9948 Typ P-kanálový 2.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný