řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2.9 A 30 V, MLP, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

22 806,00 Kč

(bez DPH)

27 594,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 10. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +7,602 Kč22 806,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-1723
Výrobní číslo:
FDMA3023PZ
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.9A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

MLP

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

240mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

1.4W

Přímé napětí Vf

-0.8V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

7.9nC

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Délka

2mm

Normy/schválení

No

Šířka

2 mm

Výška

0.75mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy