AEC-Q101, řada: DMT MOSFET DMTH6016LSD-13 Typ N-kanálový 7.6 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex
- Skladové číslo RS:
- 146-4775
- Výrobní číslo:
- DMTH6016LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
144,64 Kč
(bez DPH)
175,01 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 120 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
- Plus 1 380 jednotka(y) budou odesílané od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 14,464 Kč | 144,64 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 146-4775
- Výrobní číslo:
- DMTH6016LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | DMT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 28mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.4W | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 4.95mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada DMT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 28mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.4W | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 4.95mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN2041LSD-13 Typ N-kanálový 7.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 MOSFET DMC3028LSDX-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 7.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 PowerDI5060, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 PowerDI5060, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení