AEC-Q101, řada: DMT MOSFET N-kanálový 7.6 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální

Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
146-4666
Výrobní číslo:
DMTH6016LSD-13
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

7.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOIC

Řada

DMT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

28mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

8.4nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.4W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.7V

Konfigurace tranzistoru

Duální

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

3.95mm

Normy/schválení

No

Délka

4.95mm

Výška

1.5mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.


Tranzistory MOSFET, Diode Inc.


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.