řada: HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 650 V IXYS, TO-268, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 146-4378
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-402
- Výrobní číslo:
- IXFT60N65X2HV
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
315,42 Kč
(bez DPH)
381,66 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 17 jednotka(y) budou odesílané od 20. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 315,42 Kč |
| 5 - 9 | 297,64 Kč |
| 10 + | 287,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 146-4378
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-402
- Výrobní číslo:
- IXFT60N65X2HV
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | HiperFET | |
| Typ balení | TO-268 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 52mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 108nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 780W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.1mm | |
| Délka | 16.05mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada HiperFET | ||
Typ balení TO-268 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 52mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 108nC | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 780W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.1mm | ||
Délka 16.05mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nízké hodnoty RDS(on) a Qg
Rychlá dioda
Odolnost dv/dt
Lavinová funkčnost
Nízká indukčnost součástky
Provedení podle mezinárodních norem
Rezonanční napájecí zdroje
Předřadník lampy s vysoce intenzivním výbojem (HID)
Budiče motoru AC a DC
Měniče DC/DC
Robotické a servo ovládání
Nabíječky baterií
3stupňové solární invertory
LED osvětlení
Bezpilotní letadla (UAV)
Vyšší účinnost
Vysoká hustota výkonu
Snadná montáž
Úspora místa
Související odkazy
- řada: HiperFET MOSFET IXFT60N65X2HV Typ N-kanálový 60 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET MOSFET IXFH80N65X2 Typ N-kanálový 80 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET MOSFET IXFH60N65X2 Typ N-kanálový 60 A 650 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 145 A 650 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 650 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET MOSFET IXFN170N65X2 Typ N-kanálový 170 A 650 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET MOSFET IXFN150N65X2 Typ N-kanálový 145 A 650 V IXYS počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení