řada: HiperFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 250 V IXYS, TO-220, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Společnost IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), globální výrobce výkonových polovodičů a integrovaných obvodů pro energetické úspory, řízení napájení, přepravu, zdravotnictví a řízení motorů, uvádí na trh novou produktovou řadu výkonových polovodičových součástek: výkonové tranzistory MOSFET 250V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™. Díky odporu při zapnutí 4,5 miliohmu a náboji řídicí elektrody 21 nanocoulombů umožňují tato zařízení dosáhnout nejvyšší hustoty výkonu a energetické efektivity v široké škále aplikací s vysokorychlostními napájecími měniči. Díky principu kompenzace náboje a originální technologii zpracování nabízejí nové tranzistory MOSFET nejlepší parametry (odpor při zapnutí a náboj řídicí elektrody) ve své třídě, což znamená nejnižší ztráty vedením a při spínání. Vykazují nejnižším odporem při zapnutí v oboru (např. 5 miliohmů v pouzdru TO-264 resp. 4,5 miliohmu v pouzdru SOT-227). Rychlé vestavěné diody HiPerFETs™ tranzistorů MOSFET mají velmi měkké charakteristiky obnovení, což minimalizuje překmity napětí a elektromagnetické rušení (EMI) zejména v můstkové a full-bridge topologii. Díky nízkému závěrnému náboji a krátké době obnovení umožňují tyto diody odvod veškeré zbytkové energie při vysokorychlostním spínání a zabraňují tak poškození zařízení a zvyšují účinnost. Tato nová zařízení odolají i průrazu a mají též vynikající dv/dt charakteristiky. Jsou dobře odolná vůči závadám způsobeným napěťovými špičkami a náhodnou aktivací parazitických bipolárních tranzistorů ve struktuře MOSFET. Proto tato robustní zařízení vyžadují méně tlumičů a lze je použít v napájecích měničích pro tvrdé i měkké spínání. Mezi vhodné aplikace patří nabíječky akumulátorů pro lehké elektromobily (LEV), synchronní usměrňování ve spínaných napájecích zdrojích, řízení motorů, měniče DC/DC, nepřerušitelné napájecí zdroje, elektrické vysokozdvižné vozíky, audio zesilovače třídy D a telekomunikační systémy. Nové výkonové tranzistory MOSFET 250V X3-Class s diodami HiPerFET™ jsou k dispozici v následujících rozměrech pouzder podle mezinárodních norem: TO-3P, TO-220 (zvětšené nebo standardní rozměry), TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT-227. Mezi příklady patří č. dílů IXFA60N25X3, IXFP80N25X3, IXFT170N25X3HV a IXFK240N25X3 se jmenovitou hodnotou proudu 60 A, 80 A, 170 A resp. 240 A.

Nejnižší odpor při zapnutí RDS(ON) a náboj řídicí elektrody Qg