řada: HiperFET, Polar MOSFET Typ N-kanálový 50 A 200 V IXYS, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 920-0717
- Výrobní číslo:
- IXTP50N20P
- Výrobce:
- IXYS
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
3 894,45 Kč
(bez DPH)
4 712,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 + | 77,889 Kč | 3 894,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 920-0717
- Výrobní číslo:
- IXTP50N20P
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Řada | HiperFET, Polar | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 360W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.66mm | |
| Výška | 9.15mm | |
| Šířka | 4.83 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Řada HiperFET, Polar | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 360W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.66mm | ||
Výška 9.15mm | ||
Šířka 4.83 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 75 A 100 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 7 A 800 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 36 A 300 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 22 A 600 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 26 A 500 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 62 A 150 V IXYS počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
