řada: SuperFET II MOSFET Typ N-kanálový 77 A 600 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 145-4402
Výrobní číslo:: FCH041N60E
Výrobce:: onsemi

řada: SuperFET II MOSFET Typ N-kanálový 77 A 600 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

4 843,17 Kč

(bez DPH)

5 860,23 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Nedostatečné zásobování

Plus 420 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026

Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.

Ks	za jednotku	za tubu*
30 +	161,439 Kč	4 843,17 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 145-4402
Výrobní číslo:: FCH041N60E
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	77A
	Maximální napětí na zdroji Vds	600V
	Typ balení	TO-247
	Řada	SuperFET II
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	41mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	285nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	592W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	15.87mm
	Normy/schválení	No
	Výška	20.82mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 77A
	Maximální napětí na zdroji Vds 600V
	Typ balení TO-247
	Řada SuperFET II
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 41mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 285nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 592W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 15.87mm
	Normy/schválení No
	Výška 20.82mm
	Automobilový standard Ne

SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.

Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

řada: SuperFET II MOSFET Typ N-kanálový 77 A 600 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS